｜　第二弾　040202　｜　特許権持分確認等請求事件 ： 中村教授 vs 日亜化学　From　東京地裁

当事者の主張：原告の主張

本件トップ　＜＜

第三　当事者の主張 一　主位的請求について 　 １　被告の主張 　　　 　　中間判決「事実及び理由」欄の第３，１記載のとおり。 　 ２　原告の反論 　　　 　　中間判決「事実及び理由」欄の第３，２記載のとおり。 　 ３　被告の再反論 　　　 　　中間判決「事実及び理由」欄の第３，３記載のとおり。 二　予備的請求について 　 　　　　　　 １　原告の主張 　　 (1)　相当対価の算定式 　　　　 従業者によって職務発明がされた場合，使用者は無償の通常実施権（特許法３５条１項）を取得する。したがって，使用者が当該発明に関する権利を承継することによって受けるべき利益（同法３５条４項）とは，特許権譲渡の対価と必ずしも同じではなく，当該発明に係る特許権を独占することによって得られる利益（以下「独占の利益」という。）と解すべきである。ここで，上記独占の利益とは，�@　使用者が職務発明を自社で実施している場合には，それにより得られる超過収益のことであり，�A　他社に同発明の実施許諾をしている場合には，それによって得られる実施料収入のことである（高林龍「標準特許法」７４〜７５頁〔有斐閣・平成１４年〕参照）。 　　　　 ところで，被告会社は，ＬＥＤ及びＬＤ各製品を製造するに際し，本件特許権のみならず，被告会社の保有する他の多くの特許権（そのほとんどは，原告の単独ないし共同発明に係るものである。）をも実施しており，かつ，被告会社は，本件特許権を含むこれらの発明を自社のみで実施し，他社にライセンスしていない。そうすると，本件においては，下記の計算式に示すとおり，ＬＥＤ及びＬＤ各製品に実施された本件特許権を含む多数の特許を独占し，これらを自社で実施することによって被告が得られる利益を算出した上（上記�@の場合），これに上記多数の発明中の本件特許発明の貢献度割合を乗じ，さらに，同発明について従業者発明者である原告が貢献した割合（特許法３５条４項参照）を乗じたものが，本件特許権の相当対価として算出されるというべきである。 本件特許権の相当対価＝上記多数の特許に係る独占の利益×本件特許権の貢献度×原告（発明者）の貢献度 　　 (2)　独占の利益 　　　　 監査法人トーマツ作成の「青色ＬＥＤ特許権の『相当の対価』算定における無形資産の超過収益の価値評価について」と題する書面（甲１２２。以下「トーマツ鑑定書」という。）は，被告会社の平成６年１２月期から平成１４年１２月期までの各期ごとの売上高（既に明らかになっている。）に基づき，平成６年１２月期から本件特許権の存続期間満了年次に当たる平成２２年１２月期までのＬＥＤ及びＬＤ各部門の税引後営業利益累計を予測して算出する。そして，この税引後営業利益累計から，ＬＥＤ及びＬＤ各製品の生産・販売に投下した特許権以外の資本（必要運転資本，固定資本）の期待利益額（いわゆるキャピタルチャージ）を控除し，さらに無形資産である上記特許権の期待利益額を控除して，平成１５年８月末現在の上記超過収益の額を算定している。 　　　　 一般的な開発投資リスクプレミアム１０％を適用して計算した場合の超過収益額は，１４９３億９３００万円である。 　　　　 また，本件における４つの特殊事情，すなわち， �@　青色ＬＥＤは市場が待ち焦がれていた製品であり，巨大な需要が存在することは平成９年４月１８日の本件特許権の設定登録の時点において容易に予想されたこと， �A　前記平成６年２月７日付け日経産業新聞の記事（甲９２）からも分かるように，被告会社は，青色ＬＥＤ製品の歩留率として非常な高水準である８０％を達成しており，製品化リスクが低いばかりか，他社製品とのコスト競争に負けるリスクも低いと考えられること， �B　訴外スタンレー電気株式会社（以下，単に「スタンレー電気」という。）が，東北大学名誉教授ＮＳ博士の発明に係る半導体膜結晶成長技術「温度差法」を用いて高品質な赤色ＬＥＤを製造し，市場で長期間優位性を保っていることから分かるように，ＬＥＤの製造については高品質な結晶を成長させることが重要なポイントであり，したがって，青色ＬＥＤの市場においても，窒化化合物半導体の結晶膜成長方法である本件特許権を用いて製造された被告製品の優位性が長期間保たれると予測できること， �C　本件特許権の設定登録の時点においては，青色ＬＥＤ製品は既に製品化されていて市場の評価を受けており，かつ，特許公開 から５年が経過して，本件特許権の有用性についても専門家の検討が進んでいたと考えられること，といった事情を考慮に入れた場合は，上記超過収益額は２６５２億４３００万円となる。 　　　　 なお，株式会社ベンチャーラボ及びＡＳＧ監査法人作成の「特許の価値評価」と題する書面（甲１２９の１。以下「ベンチャーラボ＆ＡＳＧ鑑定書」という。）は，�@　実施料率をベースとした価額評価，�A　フリーキャッシュフローをベースとした価額評価，及び�B　いわゆるモンテカルロ・シュミレーションによる価額評価，という複数の評価方法に基づき，平成１５年８月末現在の上記超過収益の額を算出している。その結果は，実施料率を２０％として上記�@の方法によった場合が２９１１億円，資本コストとビジネスリスクの合計を６．４７％として上記�Aの方法によった場合が２８７０億円ないし２９４２億円，フリーキャッシュフローをベースとして上記�Bの方法によった場合の中央値が２８７２億円あるいは２９４０億円，さらに，売上高をベースとして上記�Bの方法によった場合の中央値が２８４１億円あるいは２９１９億円である。このように，ベンチャーラボ＆ＡＳＧ鑑定書における計算結果は，いずれもトーマツ鑑定書における鑑定結果である上記２６５２億４３００万円と近似する数値を示しており，このことは，トーマツ鑑定書の信用性を裏付けるものというべきである。 　　　　 ところで，いわゆるオリンパス光学事件最高裁判決（最高裁平成１３年(受)第１２５６号同１５年４月２２日第三小法廷判決・民集５７巻４号４７７頁。以下，単に「オリンパス光学事件最高裁判決」ということがある。）をはじめとする相当対価算定が問題となった裁判例は，いずれも口頭弁論終結時における実施料の累計額を，特許出願時や特許設定登録時に割り戻して計算することなく，そのまま相当対価算定の基礎に用いている。したがって，口頭弁論終結時（平成１５年１０月２４日）を基準とすることとし，原告は，上記４つの特殊の事情を考慮した場合の超過収益２６５２億円を，上記基準時の価額にひきなおして再計算した３３５７億５３００万円が，本件における相当対価算定の基礎となる独占の利益の額であると主張する。 　　 (3)　本件特許権の貢献度 　　　 ア　他の基本技術（特許）との関係 　　　　　 被告会社が保有する技術（特許）のうち，ＧａＮ系青色ＬＥＤの製造に関与する主な技術としては，�@　結晶性の良いＧａＮ結晶膜を成長させる技術である本件特許発明のほかに，�A　サファイア基板上にバッファ層を設ける技術（前記「ＧａＮバッファ層の発明」），�B　ｐ型ＧａＮ化合物半導体を製造するために不純物Ｍｇをドープする技術，�C　Ｍｇドープによりｐ型化する際のアニール（熱処理）技術（前記「ｐ型化アニーリングの発明」）などが挙げられる。これは被告の指摘するところであるが（平成１４年１２月１８日付け被告第１１準備書面参照），原告も，一般論としてそのことを否定するものではない。 　　　　　 しかしながら，被告会社が市場において圧倒的な競争力を誇る高輝度のＬＥＤ及びＬＤについては，本件特許権の貢献度が１００％であり，その他の技術の貢献度はゼロというべきである。なぜなら，発光素子を構成する窒化物化合物の結晶膜の質がよくなければ，その他の点でいくら優秀な技術を用いても，高輝度の発光素子を製造することはできない。例えていえば，質の高い結晶膜はダイヤモンドの原石なのであり，原石がよくなければ，いくら磨いても高品質のダイヤモンドは得られないのである。そのことは，本件特許権を独占する被告会社が，上記�A〜�Cの点についてそれなりの代替技術や独自技術を有する競業会社である豊田合成株式会社及び米国法人クリー社（以下，それぞれ単に「豊田合成」及び「クリー社」という。）に比して，常に何割か輝度の高いＬＥＤ及びＬＤを製造し続け，市場における優位性を保ち，限界利益率８０％（これは，被告会社が豊田合成に対して提起した別件の特許権侵害訴訟事件において，被告自身が主張していた数値である。甲１３参照）という驚異的な高収益をあげていることに，端的に示されているというべきである。 念のため，上記�A〜�Cについて触れておくと，�Aの点，すなわち，基板上にバッファ層を設ける技術については，被告会社が原告の発明に係るＧａＮバッファ層を用いているのに対し，豊田合成及びクリー社は，代替技術であるＡｌＮ（窒化アルミニウム）バッファ層を用いており，ＧａＮバッファ層の発明が被告が得る独占の利益（前記(2)）に貢献しているものとは認められない。また，�Bの点，すなわち，ｐ型半導体を得るために不純物Ｍｇをドープする技術それ自体は，１９７０年代から研究され，開発されてきた公知の技術であり，独占の利益の根拠になるようなものではない。さらに，�Cの点，すなわち，ｐ型化のアニール（熱処理）技術についてみると，原告の共同発明に係るｐ型化アニーリングの発明は，たしかにｐ型半導体の安定した量産に貢献するものであるが，必ずしも高品質な結晶膜の形成に貢献するものではないし，豊田合成が使用する，Ａ名古屋大学名誉教授らの研究グループ開発に係る電子線照射によるｐ型化という代替技術が存在する。 以上のとおりであるから，上記�A〜�Cの点は，本件特許権の貢献度を１００％と認めることの妨げになるものではない。 　　　 イ　本件特許権の市場独占力 　　　　　 被告会社は，現在数百台のＭＯＣＶＤ装置を稼働させて，高輝度ＬＥＤ及びＬＤを量産しているはずであるが，これらのＭＯＣＶＤ装置はすべて，原告が市販の装置を改造して作成した前記ツーフロー方式１号機の延長線上にある被告会社オリジナルの装置である。 　　　　　 そもそも，ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長法）自体が，ほんのわずかな実験条件の違いによって結晶膜の成長が左右される非常に精密な技術であり，市販のＭＯＣＶＤ装置を使って，製品化できるレベルの結晶膜を成長させる場合においても，その調整のために数年程度の月日を要することが珍しくない。ましてや，原告は，試行錯誤を重ねて，市販装置の反応装置部分を本件特許権を実施したいわゆるツーフロー方式に改造しており，ＭＯＣＶＤ装置の心臓部というべき反応装置部分は，各種の配管等が入り組んだ非常に複雑な構成となっている。このようにして得られたＭＯＣＶＤ装置の構造及び結晶膜成長のための最適化条件こそが，高品質な窒化ガリウム系結晶膜を得るための最大のポイントであり，市場を席巻する被告会社の高輝度ＬＥＤ及びＬＤの競争力の源泉である。 　　　　　 仮に当業者が本件特許権の明細書を見て，これを模倣して実施しようと試みたとしても，市販の装置ですら満足できる質の結晶膜を得るのに数年かかるのであるから，被告会社オリジナルのツーフロー方式の装置における最適化条件を見付けるには，それ以上の年限を要することが容易に予想される。しかも，上記のとおり，被告会社のＭＯＣＶＤ装置の反応装置は非常に複雑な構造をしており，被告会社はこれを某メーカーに製造させているはずであるが，注文どおりの構造の装置を作るには，職人芸というべき精妙な手工技術を要するので，せいぜい数か月に１台というような割合でしか製造することができない。そうすると，競業他社が，ツーフロー方式のＭＯＣＶＤ装置を数百台という単位で揃え，量産ベースにおいて被告会社に追いつくことは，事実上不可能というべきである。 　　　　　 このことは決して空論ではなく，青色ＬＥＤに先立つ赤色及び黄緑色ＬＥＤの開発及び市場発展の歴史を見ても分かることである。すなわち，スタンレー電気は，前記ＮＳ博士の発明に係る半導体膜結晶成長技術「温度差法」を用いて，高品質な赤色ＬＥＤの開発に成功したが（前記(2)参照），この温度差法を実施した最初の装置を開発するのに，昭和４５年から同５３年までの約８年の歳月を要した。他方，競業他社は，この複雑な装置を自社で製造することができず，市販の装置を使用することを余儀なくされたが，市販の装置を製造するメーカーは，上記発明に係る特許権との抵触をおそれて，温度差法を実施する装置を製造することができなかった。このことが原因となって，スタンレー電気は，世界で最初に高輝度赤色ＬＥＤの開発に成功し，かつ，今日まで約２５年間の長きにわたり，高輝度赤色及び黄緑色ＬＥＤの市場において優位を保ってきたのである。 上記のとおり，高輝度ＬＥＤの市場においては，いかに品質の高い化合物半導体の結晶膜を得るかが，競争力の最大の決め手になるというべきであり，競業他社が，少なくとも本件特許権の存続期間満了年次である平成２２年までに，ツーフロー方式に基づき製造された被告会社製品と対抗し得る品質の高輝度青色ＬＥＤ及びＬＤを製造し，市場に参入する見込みは，ほとんどないに等しい。このように，本件特許権は，被告会社が市場を独占するに際して絶大な役割を果たしているのであり，この観点からも，本件特許権の貢献度が１００％で，他の特許の貢献度はゼロというべきである。 　　　 ウ　小括 　　　　　 上記のとおり，本件特許権の相当対価算定に当たって，被告会社が本件特許権を含む多数の特許を自社で実施することにより得られる独占の利益に乗じるべき本件特許権の貢献度は，１００％というべきである。 　　 (4)　発明者の貢献度 　　　　 原告は，被告会社就職以来，約１０年間にわたって，赤色ＬＥＤ関連のＧａＰ（ガリウム燐），ＧａＡｓ（ガリウム砒素）及びＧａＡｌＡｓ（ガリウムアルミ砒素）結晶膜の液相エピタキシャル成長方法の研究開発に取り組み（第二，三２），いずれも製品化に成功したが，先行する大企業との競争力の違いから，被告会社の商業的成功にはつながらなかった。この経験が教訓となって，たとえ会社の方針に反してでも，他社が真似できない独自の技術を開発しなければならないとの思いを強め，当時，夢の実用技術と言われ，２０世紀中の開発は不可能とまで言われていた青色ＬＥＤの研究開発に取り組みたいと考えるに至った。そして，原告に理解のあった当時のＥ社長（故人）に直訴し，青色ＬＥＤの研究開発の許可を取り付け，米国フロリダ州立大学に約１年間留学させてもらい，また，日本酸素製の市販ＭＯＣＶＤ装置購入を含む約３億円の初期設備投資を負担してもらった。 　　　　 このようにして青色ＬＥＤの研究開発が始まったが，原告は，当時新入社員であったＦ氏やＢ氏を補助に付けてもらったほかは，ほとんど独力で開発を進めていった。本件特許発明も原告が独力でした発明であり，使用者たる被告会社は，原告を米国に留学させてくれたのと，後にツーフロー方式１号機となる上記市販のＭＯＣＶＤ装置を購入してくれた以外は，特に何も貢献していない。それとて，原告自身が青色ＬＥＤを取り組むべき研究開発テーマに選び，当時本命とされていたセレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）ではなく，結晶膜成長の制御が難しいとされていた窒化ガリウム（ＧａＮ）を敢えて発光素子の原料として選択し，さらに結晶膜成長方法として有機金属気相成長方法（ＭＯＣＶＤ）を選んだ上でのことであるから，被告会社の貢献度はないに等しい。 　　　　 それどころか，被告会社の現社長であるＧ氏は，原告が本件特許発明のツーフロー方式に取り組んでいたさなかの平成２年３月２６日ころ，被告会社を来訪した訴外松下電器のＨ氏の勧めに応じ，原告に対し，青色ＬＥＤの開発を中止して，当時被告会社に１台しかなかったＭＯＣＶＤ装置を用いて，携帯電話のＨＥＭＴ（高速電子移動トランジスタ）用のガリウム砒素（ＧａＡｓ）を製造することを命じた。また，平成４年３月に原告がｐｎ接合型のＧａＮ系青色ＬＥＤの試作に成功した後は，より輝度の高いＬＥＤの開発を目指してダブルへテロ構造の発光素子の開発に取りかかろうとする原告に対し，単純なｐｎ接合型のＬＥＤを早く製品化するよう促した。さらに，Ｇ社長をはじめとする被告会社の経営陣は，同社のような小規模な地方企業が特許出願しても，公開等を通じて大手企業に技術が流出するだけであるとの考えを持っており，ダブルへテロ構造の青色ＬＥＤ製品化発表を目前にするところまでこぎ着けた平成５年夏ころには，当時，原告の発明に係る２００以上の特許が出願されていることに気付き，公開前の方法特許はすべて取り下げるように命じた。被告会社特許部の若手社員は社長命令に従おうとした が，原告の懸命な説得が功を奏し，特許出願取り下げを最小限で済ませてくれた。このような経緯を経て権利化された多数の特許が，現在被告会社の大黒柱に成長している。 　　　　 このように，Ｇ社長ら被告会社の経営陣は，原告による高輝度青色ＬＥＤ開発の節目節目において，そのつど開発を妨げる方向の経営判断や社長命令をしてきたのであり，解雇を覚悟で開発を続けることを決意した原告が，これに逆らって研究開発を続けたからこそ，現在被告会社に莫大な利益をもたらしている高輝度青色ＬＥＤ及びＬＤが製品化されたのである。 　　　　 上記のような特殊事情の存在する本件においては，本件特許発明は限りなく自由発明に近い発明というべきであって，本件特許発明をするに際し，従業員発明者である原告の貢献度は１００％であり，他方，使用者である被告会社の貢献度はゼロというべきである。 　　 (5)　原告の相当対価請求 　　　　 前記(1)のとおり，本件で問題となる本件特許権の相当対価は，被告会社保有に係る特許の独占の利益×本件特許権の貢献度×原告（発明者）の貢献度の算定式により算出されるところ，同(2)のとおり，被告会社が高輝度青色ＬＥＤ及びＬＤ製品に実施する複数の特許を独占することによって得られる利益は，３３５７億５３００万円である。また，これら複数の特許に占める本件特許権の貢献度は，同(3)のとおり，割合にして１００％であり，本件特許発明に関して被告会社との関係における発明者（原告）の貢献度も，同(4)のとおり，割合にして１００％である。したがって，本件特許権についての職務発明の相当対価は，３３５７億５３００万円×１（１００％）×１（１００％）＝３３５７億５３００万円となる。 　　　　 ただし，前記トーマツ鑑定書によると，青色ＬＥＤが製品化された平成６年の１２月期から口頭弁論終結の前年である平成１４年１２月期までの上記独占の利益は，口頭弁論終結時（平成１５年１０月２４日）を基準にして，合計４９３億９０００万円と算出される。 　　　　 したがって，これに対応する相当対価は，４９３億９０００万円（４９３億９０００万円×１（１００％）×１（１００％）＝４９３億９０００万円）となる。 　　 (6)　原告による一部請求 　　　 ア　予備的請求（その１） 　　　　　 原告は，特許法３５条３項に基づき，職務発明の相当対価の一部請求として，本件特許権の一部（共有持分）の移転登録並びに１億円及びこれに対する訴訟提起の日（平成１３年８月２３日）から支払済みまで民法所定の年５分の割合による遅延損害金の支払を求める。 イ　予備的請求（その２） 　　　　　 原告は，職務発明に基づく相当対価請求（特許法３５条３項，４項）の一部請求として，被告会社が過去に独占の利益として得た４９３億９０００万円に対応する相当対価４９３億９０００万円（４９３億９０００万円×１×１＝４９３億９０００万円）のうち２００億円及びこれに対する訴訟提起の日（平成１３年８月２３日）から支払済みまで民法所定の年５分の割合による遅延損害金を請求する。 仮に，このような過去の受益分という形での限定が法律上できないのであれば，被告会社が本件特許権の存続期間満了までの独占の利益として得る過去及び将来の受益分に対応する相当対価全体である前記３３５７億５３００万円のうち，一部請求として２００億円及びこれに対する訴訟提起の日（平成１３年８月２３日）から支払済みまで民法所定の年５分の割合による遅延損害金を請求する。

本件トップ　＜＜

注： 本内容は 東京地裁 同判決速報 の転載の一部です。

特別転載　by　株式会社 技術経営創研